Энергетические характеристики волны. Интересные и нужные сведения о строительных материалах и технологиях

План

Лекция 13

1. Свойства пленок алюминия

2. Методы получения металлических пленок

3. Создание омических контактов к ИС

К системам металлизации ИС предъявляются следующие требования:

Высокая проводимость (r < 10 –6 Ом×см);

Хорошая адгезия как к Si, так и к SiO 2 ;

Способность к образованию качественного омического контакта с кремнием n- и p-типов;

Отсутствие вредных интерметаллических соединений или протекания реакций, разрушающих кремний в процессе обработки и эксплуатации системы;

Технологичность методов осаждения и нанесения рисунков;

Устойчивость к электродиффузии в металле;

Металлургическая совместимость со сплавами, которые применяются для присоединения внешних проводов к металлизированной схеме.

Наиболее удобным, простым в изготовлении и дешевым материалом для металлизации ИМС является алюминий, который обычно наносят методом испарения в вакууме.

Свойства пленок алюминия

Конкретные свойства пленок алюминия зависят от целого ряда условий, таких как чистота испаряемого материала, давление в вакуумной системе, скорость напыления, температура подложки и др. Пленки, нанесенные на аморфную поверхность SiO 2 термически окисленных пластин кремния, являются поликристаллическими с некоторой тенденцией к определенной ориентации кристаллитов. После напыления пленки имеют зеркально-гладкую поверхность.

Удельное сопротивление напыленной пленки алюминия толщиной 1 мкм составляет около 3×10 –6 Ом×см, т.е. всего на 10 - 20 % больше, чем объемное удельное сопротивление чистого алюминия. Широкое использование пленок алюминия для металлизации в интегральных схемах обусловлено: высокой электропроводностью, близкой к электропроводности объемного алюминия; легкостью испарения в вакууме и чистотой испаряемой пленки.

Алюминий имеет относительно низкую температуру испарения, и поэтому вероятность загрязнения напыленной пленки примесями из вакуумной камеры и испарителя должна быть небольшой по сравнению с металлами, имеющими более высокую температуру испарения.

Хорошая адгезия к кремнию и окислам дает возможность изготовления однослойной металлизации, что значительно упрощает технологию производства и уменьшает стоимость ИМС. Алюминиевые пленки не отслаиваются из-за плохой адгезии, как золото или молибден. Алюминий образует низкоомный контакт с кремнием n- и p-типа. Контактные площадки на пластине кремния всегда покрыты слоем естественного окисла SiO 2 . Алюминий реагирует с SiO 2 , поскольку может образовывать окислы с большой отрицательной свободной энергией.
В результате между кремнием и алюминием создается низкоомный контакт. Скорости этой реакции и диффузии кремния в алюминий очень высоки, так что для получения низкоомного контакта достаточно прогреть образец при температуре 550 °С в течение всего лишь нескольких минут.

Алюминий пластичен и стоек к циклическим изменениям температуры. Низкая температура подложки при его напылении (120 - 160 °С) и отжиге (~200 °С) позволяет получить пленки с низкими механическими напряжениями вследствие малой разницы ТКР при уменьшении температуры до комнатной. Алюминий устойчив к окисляющему воздействию атмосферы, легко обрабатывается методами фотолитографии для получения необходимой конфигурации контактов и межсоединений в ИМС, причем в таких травителях, которые не действуют на кремний или SiO 2 .

Алюминий образует прочные контакты при креплении золотой или алюминиевой проволоки к его пленке методами термокомпрессии. Его можно использовать в схемах, устойчивых к воздействию радиации.

Однако наряду с положительными свойствами, алюминий имеет ряд недостатков, которые ограничивают использование его для металлизации. К ним относятся:

Мягкость и, следовательно, легкость повреждения алюминиевой пленки;

Появление пустот в пленке вследствие электродиффузии при меньших, чем для других металлов, плотностях тока;

Возможность короткого замыкания через диэлектрическую пленку в системах с несколькими уровнями металлизации из-за образования выступов при электродиффузии или низкотемпературной рекристаллизации пленок;

Возникновение коррозии вследствие гальванического эффекта при одновременном использовании других металлов;

Взаимодействие с SiO 2 при низких температурах (начиная от комнатной и выше), что может приводить к нестабильности, особенно в МДП интегральных схемах;

Способность образовывать хрупкие соединения с золотом, что может снижать электропроводность и приводить к отказам в случае термокомпрессионного крепления выводов.

Защита алюминиевой пленки от механических повреждений практически осуществляется нанесением поверх металла диэлектрического слоя. Такое покрытие служит одновременно для предохранения близко расположенных токонесущих полосок от коррозии, электролитической или химической, и от закорачивания проводящих полосок какими-либо посторонними частицами.

При травлении окон в диэлектрике (обычно SiO 2) скорость травления диэлектрика должна быть значительно большей, чем скорость травления алюминия, иначе можно повредить алюминиевую пленку вследствие существования в ИС локальных положительных потенциалов. Для систем, содержащих слои золота, эта проблема не возникает. В случае подсоединения золотых проволочек к пленке алюминия методом термокомпрессионной сварки возможно образование интерметаллических соединений, что приводит к уменьшению надежности аппаратуры. Однако при относительно низких температурах и умеренных нагрузках такой метод соединения оказывается вполне надежным. Проблему образования интерметаллических соединений на границе золото - алюминий полностью решает использование ультразвуковой сварки золотых проводников с пленкой алюминия. Для исключения взаимодействия золотой проволоки с алюминием при одновременном сохранении преимуществ контакта алюминия с кремнием часто между золотом и алюминием наносят дополнительную металлическую пленку, например молибденовую или танталовую.

Электродиффузия в пленках алюминия

Электродиффузия - это явление переноса вещества в металлах при высоких плотностях тока. В пленках алюминия, применяющихся для металлизации ИМС, электродиффузия приводит к разрыву алюминиевого проводника вследствие образования пустот (пор) из-за скопления вакансий в алюминии.

В сплошном металлическом проводнике на термически возбужденный ион металла в узле решетки действуют две силы: одна направлена навстречу электронному потоку при приложении к проводнику электрического поля, другая действует по направлению электронного потока и появляется за счет обмена импульсами между электронами проводимости и возбужденными ионами металла при столкновениях ("электронный ветер").

Вследствие экранирующего влияния электронов сила, с которой электрическое поле действует на ион, весьма невелика, поэтому преобладающей является сила "электронного ветра". В результате этого возбужденные ионы металла, приходящие в вакансию в направлении потока электрона, имеют более высокую вероятность заполнения вакансии, чем окружающие ее близлежащие ионы. Следовательно, ионы металла перемещаются к положительно заряженному концу проводника, а вакансии - к отрицательному. Вакансии скапливаются на отрицательном полюсе (коагулируют) в виде пустот, тогда как ионы на положительных концах образуют кристаллы, усы и холмики. Большое количество пустот приводит к разрыву электрической цепи в пленках алюминия. Поверхностные царапины на металлических проводниках ведут себя как вакансии, причем наблюдается их движение по поверхности проводника в направлении отрицательно заряженного конца. Поэтому скорость переноса вещества зависит от структуры пленок алюминия.

В мелкозернистых пленках алюминия, полученных осаждением в вакууме на холодные подложки, преобладают диффузия по границам зерен и поверхностная диффузия. Вследствие этого энергия активации в таких пленках низка и составляет 0,48 эВ (энергия активации при самодиффузии в объемном алюминии равна 1,4 эВ). В хорошо упорядоченных крупнозернистых пленках, осажденных на горячие подложки, энергия активации определяется в основном поверхностной диффузией и составляет 0,84 эВ. Это связано с уменьшением границ зерен и соответственно с высоким коэффициентом самодиффузии. Если крупнозернистую пленку покрыть слоем кварцевого стекла, то поверхностная диффузия уменьшается, а энергия активации увеличивается до 1,2 эВ, т.е. приближается к значению для объемного алюминия. При температуре 275 °С и выше объемная диффузия преобладает над диффузией по границам зерен и поверхностной диффузией, поэтому влияние структуры несущественно. Однако при температуре ниже 275 °С долговечность ИМС можно повысить на несколько порядков путем применения хорошо упорядоченных крупнозернистых пленок, особенно, если они покрыты пленкой стекла.

Методы получения металлических пленок

Общие требования к тонким токопроводящим пленкам - равномерность толщины пленки, однородность ее структуры, надежное сцепление (адгезия) с подложкой и другими материалами, с которыми она контактирует.

Основными методами осаждения тонких пленок являются: вакуумное испарение (напыление) с косвенным подогревом; ионно-плазменное распыление; осаждение из газовой фазы с помощью газотранспортных реакций; восстановление в атмосфере водорода и термохимическое разложение. Выбор того или иного метода зависит от природы осаждаемого материала, материала подложки, структуры (аморфная, поликристаллическая, монокристаллическая) и толщины пленки.

Наиболее распространенным методом является вакуумное испарение. Оно дает возможность получать пленки, удовлетворяющие многим требованиям. Преимущества этого метода: удовлетворительная воспроизводимость свойств пленок за счет высокой чистоты при осаждении; хорошая адгезия к подложке, особенно при нагревании подложек; возможность контроля толщины пленок с точностью до нескольких мономолекулярных слоев в процессе осаждения. Этот метод позволяет наносить пленки различного назначения в одной установке, в едином технологическом цикле. К недостаткам вакуумного метода следует отнести проблему отвода тепла, необходимость охлаждения аппаратуры, сложность очистки подложек перед напылением для хорошего сцепления с ними пленок.

Пленки тугоплавких металлов (Ta, W, Mo и др.) можно осаждать ионно-плазменным (катодным) распылением. В атмосфере активного газа (O 2 , N 2 и др.) распылением соответствующего металла можно изготавливать и диэлектрические пленки (окислы, нитриды металлов), однако в этом случае трудно предотвратить поглощение остаточных газов пленкой в процессе ее формирования из-за относительно высокого давления газа (10 –2 - 10 –1 мм рт.ст).

Осаждение из газовой фазы позволяет получать высококачественные пленки, однако этот метод предполагает наличие сильных агрессивных сред, которые могут вступать во взаимодействие с кремнием или диэлектрическими пленками на его поверхности. Вследствие этого осаждение металлов из газовой фазы применяется редко.

В настоящее время наиболее широкое распространение при нанесении металлических пленок получил метод ионно-плазменного распыления с помощью магнетронных распылительных систем - устройств для генерирования плазмы.

В методе магнетронного распыления используются скрещенные магнитное и электрическое поля, повышающие эффективность ионизации рабочего газа и, следовательно, плотность плазмы.

Магнетрон представляет собой двухэлектродную систему, в которой распыляемый материал является катодом. Наиболее часто используются две основные электродные системы: с кольцевым (коническим) катодом, называемым S-пушкой (рис.5.1,а), и планарная (рис.5.1,б). Во всех случаях линии магнитного поля перпендикулярны линиям электрического поля и проходят через поверхность катода. При этом создается плотная плазма низкого давления, локализованная над нужным участком поверхности катода, с которой и производится распыление. Скорость распыления при использовании конического магнетрона пропорциональна косинусу угла между направлением пучка распыляемого материала и нормалью к подложке. Для увеличения производительности этого метода может использоваться планетарная система расположения подложек относительно источника распыляемого материала. В планарном магнетроне пластины помещаются на плоскости перед магнетроном, причем источник может иметь изменяющиеся размеры, так что возможно значительное увеличение производительности устройства.

Использование магнетронного распыления позволяет проводить нанесение металла с высокой скоростью. При этом напряжение магнетронных источников обычно ниже, чем электронно-лучевых устройств, следовательно, они генерируют меньшее проникающее излучение. Скорость осаждения может регулироваться расстоянием между источником и подложкой и достигать 1 мкм/мин при осаждении алюминия или его сплавов.

Установки магнетронного типа обычно оснащены микропроцессорными системами управления, которые действуют по заданным программам. Системы управления позволяют проводить корректировку программ, перепрограммирование, изменение параметров процесса, а также соединять конкретную установку с большими управляющими комплексами. Регулируются основные параметры технологического процесса: временные характеристики операций откачки камеры, напуска рабочего газа, нагрева подложек, ионной очистки поверхности подложек, процесса распыления; а также мощность магнетрона; скорость движения карусели с подложками. Загрузка и выгрузка пластин могут осуществляться как оператором, так и (в некоторых устройствах) автоматически. Причем заданные и текущие значения параметров в процессе распыления могут контролироваться с помощью экрана дисплея.

Хотя магнетронные системы испарения металлов значительно сложнее в изготовлении и эксплуатации, чем вакуумно-термические, в условиях современного производства они являются наиболее совершенными, обеспечивающими необходимые качества и производительность при нанесении металлических тонких пленок.

Создание омических контактов к ИС

Основное назначение контактов в ИС - это подведение электрического тока к той или иной ее области.

Для планарных ИМС используют как локальные контакты (рис.5.2,а), так и распространенные (рис.5.2,б), выходящие на поверхность диэлектрического покрытия - двуокиси кремния, нитрида кремния и т.д. Распространенные контакты являются большим достоинством планарных ИМС, так как они позволяют отделить место присоединения вывода от активной области прибора и тем самым резко уменьшить как размеры последней, так и вредные воздействия на нее.

Основные качества контактов - обеспечение заданных электрических параметров и механическая прочность - должны сохраняться в течение всего срока службы ИМС при изменении в широком диапазоне условий эксплуатации схем. Для нормальной работы полупроводникового прибора или ИМС контакты к ним должны удовлетворять следующим требованиям:

Быть невыпрямляющими, т.е. сопротивление контакта не должно меняться при изменении направления протекающего тока, и неинжектирующими;

Обладать линейными зависимостями сопротивления от величины протекающего тока;

Иметь минимальное сопротивление, в том числе в направлении, параллельном поверхности, особенно если вывод присоединен к незначительной по площади части контакта;

Обладать высокой теплопроводностью и иметь коэффициент теплового расширения, близкий к аналогичным коэффициентам кремния и материала вывода или корпуса;

Представлять металлургически стабильную систему с кремнием и материалом вывода, в случае многослойных контактов это условие относится к взаимодействию слоев между собой;

Металл контакта должен обеспечивать достаточно хорошую адгезию к кремнию, а в случае распространенных контактов - и к диэлектрическому покрытию;

Не вступать в химическое взаимодействие с диэлектрическим покрытием;

Обеспечивать проведение фотолитографии;

Глубина диффузии металла контакта в кремний должна быть минимальной.

Для создания неинжектирующего контакта с малым сопротивлением необходимо, чтобы электрохимические потенциалы металла j мет и кремния j S i удовлетворяли условиям: j мет < j S i для S i n-типа; и j мет > j S i для Si p-типа. Однако такие контакты, как правило, обладают нелинейными вольт-амперными характеристиками, их сопротивление зависит от величин приложенного напряжения и протекающего тока.

Этого можно избежать путем дополнительного легирования полупроводника под контактом, например, в кремнии n-типа диффузионным способом создается тонкая область n + -типа. Между n – - и
n + -областями возникает контактная разность потенциалов, пропорциональная разности концентраций ионизированных доноров. Изменить эту разность потенциалов прилагаемым извне напряжением очень трудно: при любой полярности напряжения будет изменяться только поток основных носителей. За счет этого обеспечивается линейность характеристики контакта. Линейный неинжектирующий контакт принято характеризовать контактным или переходным сопротивлением r k . Величина этого сопротивления в основном зависит от вида металла, типа и сопротивления полупроводника

Для полупроводника с малой концентрацией примеси можно использовать уравнение:

где A * = 4pem * k 2 /h 3 - постоянная Ричардсона (e - заряд электрона;
k - постоянная Больцмана; m * - эффективная масса носителей заряда;
h - постоянная Планка); j В - высота барьера металл - полупроводник. Поскольку в этом случае преобладает термоэлектронная эмиссия через барьер, малое сопротивление контакта требует малой высоты барьера. При концентрации примеси, меньшей 10 17 см –3 , r k не зависит от уровня легирования. При высокой концентрации примеси ширина барьера уменьшается вследствие сильного изгиба зон полупроводника, и основную роль при протекании тока в контакте играет туннелирование сквозь барьер. В этом случае контактное сопротивление можно представить в виде

,

где e S - диэлектрическая постоянная кремния; N D - концентрация примеси в полупроводнике. С ростом концентрации выше 10 19 см –3 r k быстро уменьшается. В табл.5.1 представлены значения j В для наиболее употребимых материалов контактов.

Таблица 5.1

Высота барьера металл - кремний, В

Энергетические параметры ОУ оценивают максимальными потребляемыми токами от обоих источников питания и соответственно суммарной потребляемой мощностью.

Частотные характеристики

Усиление гармонических сигналов характеризуется частотными параметрами ОУ, а усиление импульсных сигналов - его скоростными или динамическими параметрами.

Многие типы ОУ общего и специального назначения имеют внутреннюю коррекцию, т.е. в схему таких ОУ включен конденсатор малой емкости (обычно 30пФ). Такой конденсатор внутренней частотной коррекции предотвращает генерацию ОУ на высоких частотах. Это происходит за счет уменьшения усиления ОУ с ростом частоты. Интервал частот, на котором частота изменяется в 10 раз, называется декадой. Изменение частоты в два раза называется октавой. Изготовители представляют частотную зависимость усиления ОУ без ОС в виде кривой, называемой амплитудно - частотной характеристикой (АЧХ) без ОС.

Рис. 1.7

Частота f1, при которой коэффициент усиления ОУ равен единице, называется частотой единичного усиления. Если разделить полосу единичного усиления на частоту входного сигнала, то получим в результате коэффициент усиления ОУ на данной частоте сигнала. Усиление без ОС на частоте равно полосе пропускания, деленной на частоту входного сигнала.

При составлении графиков частотных характеристик обычно используется логарифмический масштаб.

Коэффициент усиления по напряжению в децибелах равен: KдБ = 20 lg K, где K - числовое значение коэффициента усиления по напряжению.

Уменьшение коэффициента усиления с частотой называется спадом. Последовательная RC - цепь имеет скорость спада АЧХ 20 дБ/дек или 6дБ/окт.

Так как каждый усилительный каскад ОУ в простейшем случае представляется эквивалентной схемой, состоящей из последовательно соединенных R и C, то он также имеет скорость спада АЧХ 20дБ/дек. Для трехкаскадного ОУ коэффициент усиления усилителя равен произведению коэффициентов усиления его отдельных каскадов. При этом получается достаточно громоздкое выражение, поэтому часто пользуются весьма наглядной и простой для понимания диаграммой Боде - графиком зависимости десятичного логарифма Коэффициента усиления от десятичного логарифма частоты. Это удобно, так как значения коэффициентов усиления каскадов, выраженные в децибелах, можно складывать, вместо того чтобы их перемножать. Таким образом, АЧХ его каскадов можно получить, построив на одном графике АЧХ его каскадов и графически их сложив.

Так как интегральные ОУ без ОС практически не применяются, необходимо определить влияние ОС на АЧХ ОУ. Отрицательная ОС ограничивает коэффициент усиления ОУ и значительно расширяет полосу пропускания. Отметим, что отрицательная обратная связь не расширяет АЧХ ОУ, а граничная частота ОУ увеличивается за счет уменьшения коэффициента усиления усилителя.

Коэффициент усиления по контуру ОС, как видно из (рис. 1.8), есть разность между коэффициентами усиления ОУ без ОС и с ОС, выраженной в децибелах.

Рис. 1.8

В том случае когда скорость спада АЧХ ОУ составляет 20дБ/дек, произведение коэффициента усиления ОУ на частоту единичного усиления есть величина постоянная.

При усилении сигналов ОУ обычно охватывается отрицательной обратной связью по инвертирующему входу. Вследствие создаваемого усилителем в области высоких частот Фазового сдвига выходного сигнала относительно входного фазочастотная характеристика ОУ по инвертирующему входу приобретает дополнительный (сверх 180°) фазовый сдвиг (рис. 1.9).

Рис. 1.9

Для некоторой высокой частоты полный фазовый сдвиг становится равным 360°, что соответствует положительной обратной связи по инвертирующему входу на этой частоте, что приводит к самовозбуждению схемы. Для устранения самовозбуждения в ОУ вводят внешние корректирующие RC - цепи, позволяющие несколько изменить ход амплитудно - частотной и фазово - частотной характеристик.

Критерий устойчивости ОУ иногда выражается через запас устойчивости по фазе, который представляется в виде суммы фаз Ф = 180° + . Положительный запас устойчивости ОУ по фазе является показателем его устойчивости. Отрицательный запас по фазе характерен для неустойчивого ОУ. Для получения максимального быстродействия ОУ желательно иметь запас устойчивости по фазе около 45° .

Устойчивость ОУ можно оценить и по частоте, находящейся в полосе его пропускания. Если половина периода этой частоты равна времени задержки распространения сигнала по контуру ОС, то в ОУ возникают колебания.

Для обеспечения устойчивой работы ОУ необходимо уменьшать запаздывание по фазе, т.е. корректировать АЧХ ОУ.

Скоростные характеристики

Динамическими параметрами ОУ являются скорость нарастания выходного напряжения (скорость отклика) и время установления выходного напряжения. Они определяются по реакции ОУ на воздействие скачка напряжения на входе (рис. 1.10).

Рис. 1.10

Скорость нарастания выходного напряжения U вых находят по отношению приращения выходного напряжения к времени на участке изменения выходного напряжения от 0,1U вых до 0,9U вых. Время установления выходного напряжения t уст оценивают интервалом времени, в течение которого выходное напряжение меняется от уровня 0,1 до уровня 0,9 установившегося значения. В ряде схем ОУ допускается введение корректирующих цепей, улучшающих параметры U вых и t уст. Для ОУ U вых = 0.1:100 в/мкс, а t уст = 0.05:2 мкс.

7. Генератор линейно-изменяющегося напряжения (ГЛИН).

Генератор линейно-изменяющегося напряжения (ГЛИН) предназначен для получения напряжения, которое в течение некоторого времени нарастает или спадает по линейному или близкому к линейному закону и используется в каскадах сравнения, схемах временной задержки импульсов, для получения временных разверток в электронно-лучевых трубках и т.д. Реализация ГЛИНа на ОУ и временные диаграммы входного и выходного напряжений даны на рис.8.16. Принцип работы основан на применении зарядного или разрядного устройства, интегрирующего конденсатора C и электронного ключа на транзисторе VT . При закрытом состоянии ключа происходит заряд конденсатора C от Е зар. через R 3 с постоянной времени t зар =R 3 C , что определяет длительность прямого (рабочего) хода. Замыкание ключа приводит к быстрой разрядке конденсатора и время обратного хода определяется сопротивлением насыщенного транзистора. Выходное напряжение повторяет форму напряжения на конденсаторе C и имеет вид “пилы”.

Линейно изменяющимся(пилообразным) напряжением(ЛИН) называют импульсное напряжение, которое в течение некоторого времени изменяется практически по линейному закону, а затем возвращается к исходному уровню (рис.20.1)

ЛИН характеризуется следующими основными параметрами:периодом Т, длительностью рабочего хода Т р, длительностью обратного хода Т обр, амплитудой U m , коэффициентом нелинейности

где |du/dt| t=0 и |du/dt| t= Tp − соответственно скорость изменения напряжения в начале и в конце рабочего хода.В ГЛИН, используемых на практике, Т р изменяется от десятых долей микросекунды до десятков секунд, U m −от единиц до тысяч вольт, Т обр −от 1 до 50% от Т р. В большинстве реальных схем ε<1%.

Обычно линейное изменение напряжения получают при зарядке и разрядке конденсатора. Функциональная схема ГЛИН должна иметь вид, показанный на рис.20.2.

На рис.20.3,а приведена электрическая схема простейшего ГЛИН. На транзисторе Т собран ключ, управляемый прямоугольными импульсами u вх отрицательной полярности (рис.20.3,б ). В исходном состоянии транзистор насыщен (ключ замкнут) ,что обеспечивается выбором соотношения сопротивлений резисторов R б и R к. При воздействии входного импульса длительностью Т р транзистор закрывается (ключ разомкнут) и конденсатор С заряжается от источника +Е к через резистор R к. Напряжение на конденсаторе изменяется по экспоненте:u c =E к (1−e - t /(RC)). По окончании входного импульса транзистор переходит в режим насыщения (ключ замкнут) и конденсатор быстро разряжается через промежуток коллектор-эмиттер. Используя начальный участок экспоненты, можно получить импульсы с малым коэффициентом нелинейности. Однако при этом отношение U m /E к мало, в чем и состоит основной недостаток данной схемы.

Высококачественные ГЛИН создают на основе операционных усилителей. На рис.20.4, приведена схема такого ГЛИН, выполненного на операционном усилителе.

8. Сглаживающие фильтры (ем­костные и индуктивные)

Сглаживающие фильтры

Сглаживающим фильтром называют устройство, предназначенное для умень­шения пульсаций выпрямленного напряжения.

Коэф­фициенты пульсаций выпрямленных напряжений:

Для однополупериодного однофазного выпрямителя..... 1,57

» двухполупериодного однофазного выпрямителя..... 0,67

» трехфазного выпрямителя с нейтральным выводом. . . 0,25

» трехфазного мостового выпрямителя.......... 0,057

С такими коэффициентами пульсаций выпрямленное напряжение в подавляющем большинстве случаев использовать нельзя, так как при этом работа электронных блоков и устройств резко ухуд­шается или вообще недопустима. В зависимости от назначения того или иного электронного блока (усилителя, генератора и т. д.), его места в электронном устройстве или системе (на входе, выходе и т. д.) коэффициент пульсаций напряжения питания не должен превышать определенных значений. Так, для основных каскадов ав­томатических систем он не должен превышать 10~2-10~3, для вы­ходных усилительных каскадов-10~4-10~5, для автогенерато­ров - 10~5-10~6, а для входных каскадов электронных измери­тельных устройств - 10~6-10~7. напряжения с

Основными элементами сглаживающих фильтров являются кон­денсаторы, индуктивные катушки и транзисторы, сопротивления ко­торых различны для постоянного и переменного токов. Для постоян­ного тока сопротивление конденсатора равно бесконечности, а со противление индуктивной катушки очень мало. Сопротивление тран­зистора постоянному току (статическое сопротивление) на два-три порядка меньше сопротивления переменному току (динамическое сопротивление). Основным параметром, характеризующим эффек­тивность действия сглаживающего фильтра, является коэффициент сглаживания, равный отношению коэффициентов пульсаций на входе и выходе фильтра:

q = pвх/pвых

Кроме выполнения требования к коэффициенту сглаживания фильтры должны иметь минимальное падение постоянного напря­жения на элементах, минимальные габариты, массу, и стоимость.

В зависимости от типа фильтрующего элемента различают ем­костные, индуктивные и электронные фильтры. По количеству фильтрующих звеньев фильтры делятся на однозвенные и много­звенные.

Емкостные фильтры. Рис. 9.8. Схемы емкостных фильтров с однополупериодным (а) и мостовым (в) выпрямителями, временные диаграммы напряжений и токов однополупериодного (б) и мостового (г) выпрямителей с ем­костным фильтром

Этот тип фильтров относится к однозвенным фильтрам. Емкостный фильтр включают параллельно нагрузочному резистору Rн (рис. 9.8, а) Работу емкостного фильтра удобно рас­сматривать с помощью временных диаграмм, изображенных на рис. 9.8, б. В интервал времени t1- t2 конденсатор через открытый диод Д заряжается до амплитудного значения напряжения U2,так как в этот период напряжение u2>>uс. В это время ток ia = ic + in-В интервал времени t2-t3 когда напряжение U2 становится меньше напряжения на конденсаторе uс, конденсатор разряжается на нагрузочный резистор Rн, заполняя разрядным током паузу в нагрузочном токе iн, которая имеется в однополупериодном вы­прямителе в отсутствие фильтра.

Индуктивные фильтры . Индуктивный фильтр, состоящий из дросселя Lф включают последовательно с нагрузочным резистором Rн (рис. 9.9, а). Он, так же как емкостный фильтр, относится к типу однозвенных фильтров. Работу индуктивного фильтра удобно рас­смотреть с помощью временных диаграмм, изображенных на рис. 9.9, б. Анализ временных диаграмм показывает, что ток iн нагрузоч­ного резистора Rн получается сглаженным. Действительно, вследст­вие того, что ток в цепи с дросселем во время переходного процесса, обусловленного положительной полуволной выпрямляемого напря­жения u2, зависит от постоянной времени t==Lф/Rн длительность импульса тока увеличивается с ростом t. Коэффициент пульсаций определяется простым соотношением

В нашу жизнь уже вошло и стало привычным слово “биополе”. Но все вкладывают разный смысл в это понятие. Есть “умельцы”, которые говорят, что они могут измерить, определить биополе у человека. Самое любопытное, что измеряют, и определяют, играя на невежестве измеряемых и определяемых, причём, неплохо зарабатывая на этом.

Как мы уже договорились ранее, энергии (силы) Высших Миров (ВМ) можно определять, исследовать только с помощью сверхспособностей человека и никак иначе. То, что определяют умельцы с помощью приборов или приспособлений типа рамок, маятников - это всё относится к Физическому миру, к плотному миру.

Вот моё определение биополя - это “сумма” энергетических тел. С помощью техники и рамок можно определить с большой натяжкой только переходящую часть и только эфирного тела, это доли процента, а основную часть, более 99 процентов, с помощью средств Физического Мира определять, исследовать абсолютно НЕЛЬЗЯ, это просто НЕВОЗМОЖНО. А уж тем более, как можно судить о биополе по долям процента?

Только много практикующие люди, обладающие сверхспособностями, хорошо развитые в природном направлении, могут с высокой достоверностью определять, исследовать биополе человека, животных, растений, минералов, Земли и так далее.

Лично я - не сторонник исследований только биополя (конечно, как суммы энергетических тел), чтобы определить биоэнергетическую “мощь” человека. Считаю, что для полного определения биоэнергетического состояния человека нужно исследовать КАЖДОЕ энергетическое тело (все шесть), связь между ними. Может случиться, что каждое тело само по себе мощное, а связь между ними недостаточная для их комплексной, а она важна, работы.

Особенно необходимо проверить качественное состояние трёх магистральных каналов - Ида, Пингала, Сушумна. Затем необходимо исследовать и 7 основных чакр. Вот только после этого с довольно высокой степенью достоверности можно дать оценку биоэнергетического состояния человека.

Всё остальное будет давать очень неполную картину, часто с очень серьёзной дезинформацией. Тому у меня много примеров.

Сформулируем некоторые требования к подобным специалистам, умеющим проводить биоэнергетические исследования. Самое главное - у этих людей должны быть природные высокоразвитые сверхспособности. Основные требования:

Иметь от рождения явно выраженные сверхспособности;

Постоянно их развивать, иметь постоянную практику;

Должны соблюдаться все законы Природы, Космоса, Мироздания, которые уже известны (на определённом уровне) человечеству;

Не иметь в своём организме чёрной энергии;

Постоянно и осознанно идти духовным путём развития, путём ВЫСШЕЙ духовности;

Знать о своей специализации сверхспособностей, иметь практический опыт.

Для начала хватит и этих требований, в вообще-то их очень много. Вот таким людям можно доверять исследование вашего биоэнергетического состояния. Всё остальное - от лукавого.

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СТОЛБ (или поток) космической энергии, входящий в голову (в Сахасрару) человека - это очень важная характеристика. Это наша энерго - информационная связь с Мирозданием. В зависимости от уровня развития человека, его устремлённости к развитию этот столб имеет определённые характеристики. А именно:

Плотность,

Цвет (или цвета),

Количество информационных каналов,

Наличие и вид конструкций на нём.

Есть ещё ряд характеристик. Исследовать этот столб могут только ясновидящие высокого уровня, с большой практикой.

Самые лучшие цвета - белый, золотистый, голубой, всевозможные (а это встречается чаще всего) сочетания из них.

Очень страшно, когда столб чёрный, то есть этот человек связан с Чёрными Силами, с Хаосом, является сотрудником Чёрных Сил вольно или невольно. Образование чёрного столба происходит постепенно, незаметно, по мере накопления человеком чёрной энергии, наличия в его организме чёрных сущностей. Этот чёрный столб, конечно, разрушает человека и, обратите внимание, начиная с головы, то есть с мозга, нарушает нормальное его функционирование, коренным образом меняя образ мышления.

Чёрный столб формируется не сразу, не быстро. Когда рождается ребёнок, он имеет светлый столб (“чистая душа ребёнка”), хотя неразумные родители уже могут внести свою чёрную лепту в энергетический комплекс ребёнка. Я уже говорил об этом выше. И заработает закон “Подобное - к подобному”. А дальше уже легко домыслить.

Количество и качество информационных каналов зависит от устремлённости человека, его духовного развития, совершенства его сверхсознания - надсознания. Если провести некую аналогию, то этот столб - как бы своеобразная антенна в действии. Как много конструкций антенн, примерно так много как и конструкций столбов. Но автором - конструктором своего энергетического столба является сам человек. Естественно, что пополнение человека энергией зависит от состояния энергетических каналов и энергетических центров (чакр).

Всевозможные конструкции на энергетическом столбе - это результат конкретных действий человека на пути выполнения своей миссии, например, духовного целительства, просветительства и создания энерго - силовых программ.

Насчёт остальных характеристик вы и сами поймёте, чем шире и плотнее этот столб, тем лучше.

Ещё одной характеристикой человека является АУРА. Нужно определиться с этим понятием. Само слово АУРА имеет несколько значений. При определении характеристик человека под аурой я понимаю энергию мышления, мыслительных процессов сознания и подсознания. Аура в моём понимании ассоциируется с Ореолом. Аура образуется вокруг головы.

А всё остальное - это энергетические тела, как бы их сумма. Аура, как мыслительная, ментальная энергия, имеет три вида.

Аура ПЕРВАЯ - это сиюминутные мысли, скоротечные, неустойчивые, подчас очень кратковременные, как правило, не имеющие принципиального характера. Эту ауру можно увидеть физическим зрением, имеющим широкий диапазон, глядя прямо на человека, вокруг его головы, желательно на сером фоне. Диагностика по этой ауре носит весьма приблизительный характер, часто ошибочный.

Аура ВТОРАЯ - это уже энергия более длительных мыслительных процессов, продолжающихся недели, месяцы, годы. Например, эта аура является результатом мыслительных процессов во время учёбы, при работе над решением различных проблем, над открытиями, изобретениями, при осмыслении своего физического или иных состояний. Эта аура отражает некоторые черты характера человека, его серьёзные заболевания, особенно хронические. По этой ауре уже можно проводить диагностику с более высокой достоверностью, чем по первой ауре. Вторую ауру могут “читать” только ясновидящие высокого уровня, смотреть на исследуемого физическим зрением совершенно не обязательно.

Аура ТРЕТЬЯ - это энергетическая характеристика очень длительного времени, формирующаяся годы, десятилетия, показывает общий уровень развития человека. Диагностика по третьей ауре является самой полной и максимально достоверной, уровень достоверности по этой ауре будет определяться уровнем ясновидения диагноста. Третью ауру могут полностью ”прочитать” ясновидящие с высочайшим уровнем развития. В настоящее время на Земле таких не более... 10!

К характеристикам человека можно отнести и его ”специализацию” сверхспособностей:

Ясновидение, которое делится на: астральное, ментальное, причинное, психического тела и, самое высшее, духовное ясновидение;

Яснослышание, которое делится на такие же разновидности - уровни;

Сверхобоняние, сверхосязание, сверхвкус, сверхинтуиция.

Конечно, есть ещё целый ряд энергетических характеристик человека, но для общего и принципиального представления перечисленных выше характеристик достаточно, а так же для того, чтобы сделать выводы, как мы ещё мало знаем о себе.

А великая мудрость гласит: “Познай себя, и ты познаешь мир!”, а не наоборот!

“Энергетические характеристики электростанций и агрегатов

Энергетические характеристики используются для оценки режимов в технических и экономических задачах

Универсальная энергетическая характеристика

• В таком виде могут представляться характеристики котлов, турбин, генераторов, трансформаторов, двигателей..
• Характеристика может быть преобразована к другому виду показателей:
• абсолютных,
• относительных,
• диффренциальных.

Удельные показатели

• Применяются два вида относительных показатели:
• · удельный расход первичного ресурса (подведенной мощности) на полезную мощность
• руд = Рподв/ Рпол,
• ·удельный расход полезной мощности на подведенную мощность. Это кпд
•  =Рпол /Рподв.
• · Из дифференциальных широко применяется показатель приращения подведенной мощности к приращению полезной рдиф = ΔРподв/ ΔРпол.

Вид и взаимосвязи различных характеристик

Расходные характеристики электростанций в абсолютных показателях

• Основные абсолютные показатели: полезная мощность Р, подведенная мощность Рподв. Подведенная мощность прямо пропорциональна расходу энергоресурса: топлива В, воды Q, пара D, теплоты QТЭС. Для ГЭС при постоянном напоре Н подведенная мощность
• N=9,81 HQ,
• Полезная мощность
• N=9,81 HQ ,
• Для ТЭС подведенная мощность, МВт, пропорциональна расходу условного топлива:
• Pптэс=8,14B

Характеристики в относительных показателях

• Рабочие характеристики- характеристики КПД.
• Удельные характеристики,.
• bуд=B(гут)/P,
• qуд=Q(куб.м/с)/P
• Отметим, что точка минимума удельного расхода энергоресурса соответствует точке максимума КПД
• Дифференциальные характеристики
• Эти характеристики называют еще характеристиками относительных приростов.
• Это приращение энергоресурса на приращение мощности

Энергетические характеристики в руб

• В настоящее время при коммерческих отношениях на рынке и при оптимизации режима станций внутри самой системы необходимо использовать затраты на топливо. Это требует учета цен на топливо различных станций. Для этого осуществляется пересчет ординат энергетических характеристик. Форма характеристик при этом сохраняется. Показатели характеристик будут иметь вид:
• · расход натурального топлива пересчитывается в издержки на топливо - Ив = цВ, руб (ц, руб/тонну натурального топлива),
• · удельные расходы топлива пересчитываются в удельные издержки на топливо - Вц/P , руб/МВтч,
• · относительные приросты ΔВц/ΔР, руб МВт.

Характеристики ТЭС

• Имеются характеристики котлов, турбин, блоков, станции
• Электрическая мощность – Рген=Рподв- ΔРкотл-ΔР турб- ΔР ген
• КПД – η агр= ηген ηтур ηкотл
• Удельный расход топлива – bудагр=bудкотлbудтурбbудген;
• Относительный прирост - bудагр=bкотлbтурбbген

Вид характеристик агрегатов ТЭС

• Котел
• а-расходная
• в-дифференциалная
• Турбина
• расходная,
• дифференциальная
• Генератор

Расходная характеристика блока и станции

Схематичная характеристика ТЭЦ

• Диаграмма режимов представляет совокупность характеристик расхода пара или тепла турбоагрегатом при различных отборах пара на производственные и теплофикационные нужды.
• Нижняя кривая соответствует уловию, когда отбор пара нет. Это конденсационный режим. При увеличении отбора характеристика турбины перемещается параллельно самой себе.

Вид диаграммы режимов турбоагрегата с производственным и теплофикационным отбором пара

Характеристики ГЭС

• Расходная
• Дифференциальная
• Натурные дифференциальные

Характеристики гидроагрегатов обычно представляются изолиниями для постоянных напоров. На расходной характеристике даются изолинии Q (Р) для Н = const, на дифференциальной - изолинии q Натурные характеристики гидроагрегатов часто имеют более сложную форму

Характеристики других станций

• Максимальное значение к. п. д. ГТУ соответствует номинальной мощности и равно примерно 30%. Удельные расходы ГТУ значительно превосходят средние значения показателей современных КЭС. Экономичность работы ГТУ существенно ухудшается при снижении ее нагрузки и при увеличении температуры наружного воздуха. Например, для ГТУ – 100 – 750 -2 при номинальной мощности, удельный расход равен 430 г/Квтч, что в 1,25 раза выше, чем на КЭС, а при снижении мощности до 30% номинальной величина повышается до 720 г/ Квтч.

Агрегаты АЭС на тепловых нейтронах в небольших пределах могут регулировать нагрузку. Однако при этом резко снижается их надежность, и в настоящее время они в основном предназначены для базовой зоны графика нагрузки.

Способы получения характеристик

• Паспортные характеристики. Даются заводом изготовителем.Их погрешности достигают 10%
• Натурные характеристики. Получаются в результате специального эксперимента в натуре. Погрешности до 5 %
• Характеристики, получаемые в АСУ ТП Требуется непрерывное измерение многих параметров. Погрешности примерно 2%.

Характеристики, получаемые в АСУ ТП

• Для ГЭС нет надежных способов измерения расхода воды.
• Для ТЭС расход топлива определяется косвенно по ем параметрам, которые можно замерить.
• Схема получения характеристики
• -Измеряют непрерывно 5-7значимых параметров.
• -Подбирают аппроксимирующую функцию.
• -Параметры функции непрерывно уточняются по новым замерам.

Пример построения характеристики энергоблока в АСУ ТП

• Из 200 измеряетмых параметров выбирают 7.
• Информация вводится в ЭВМ каждые 15с.Проверяется достоверность измерений.
• Данные осредняются за 15 мин.
• По известной аппроксимирующей функции рассчитывается расход топлива
• Уточняется характеристика

Статистические характеристики

• Строятся по данным учета ТЭП
• Для расчетов используются те характеристики, которые имеются на станции
• Статистические характеристики учитывают изменение режима во времени

Заключение

• Характеристики агрегатов являются важнейшей исходной информацией
• В режимных задачах используются характеристики различного вида.
• В настоящее время еще не решен полностью вопрос получения качественных характеристик.
• Наиболее достоверные характеристики получают в АСУ ТП.
• Приходится использовать паспортные или экспериментальные характеристики. Их погрешности составляют 5 –10%.
• Многие режимные параметры приобрели свойства товара и на цены влияют погрешности характеристик.